بررسی و شبیه سازی ساختار ترانزیستور soi برای بهبوداثرات خود گرمایی

استفاده از ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق (اکسید سیلیکون) راه حلی برای حذف اثرات پارازیتی موجود در افزاره های بدنه سیلیکون می باشد اما هدایت گرمایی پایین لایه اکسید مدفون در افزاره های سیلیکون روی عایق، موجب تولید اثر خود گرمایی و افزایش دمای شبکه در این افزاره ها به ویژه در افزاره های زیر میکرون می شود. لذا اثر خود گرمایی محرکی برای حرکت به سمت استفاده از تکنولوژی سیلیکون بر روی موادی گردید که هدایت گرمایی بالاتری نسبت به اکسید سیلیکون جهت انتقال گرمای ایجاد شده به خارج از افزاره را داشته باشد. هدایت گرمایی بالا در ماده الماس موجب ارائه این ایده گردیده که تکنولوژی سیلیکون روی الماس پاسخگوی خوبی برای حل مسئله خودگرمایی است.